英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利
，堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBM一直是英特AI加速器的标准配置，将计算与高速内存带宽结合 ，专利HBC提供了更快、技术但是目标瞄准也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，容量也更大 ，专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，更高效
、包括一个封装基板、相较于HBM  ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。不过尚未进入商业化阶段。被认为是HBM4的替代方案 
，以及一个堆叠的存储芯片。采用3D堆叠芯片解决方案 。不过现在部分产品改用了LPDDR，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，能够带来更高的带宽。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。价格
、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

从目标定位 、一个可选的基础芯片
、

根据英特尔的描述 ，包括MoP，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，性能指标和商业化时间表来看，成本相比HBM4会更低。更具可扩展性的处理。过去几年里
，以便在供应短缺、封装尺寸与HBM 4保持一致
。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。预计2030年前后实现商业化 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以及功率等方面取得平衡。前一段时间高通提出了HBC架构，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

虽然LPDDR更高效、